Американская корпорация Applied Materials отказалась поставлять оборудование для завода по производству микросхем MRAM-памяти в Москве, сообщает ИТАР-ТАСС со ссылкой на главу «Роснано» Анатолия Чубайса.


Проект строительства завода реализует международный консорциум с участием "Роснано".

«Мы находимся на завершающей стадии строительства крупного предприятия «Крокус наноэлектроника» в технополисе «Москва» по производству магниторезистивной памяти (MRAM). Часть оборудования должна была поставить американская Applied Materials, но отказалась», - рассказал Чубайс.

Читайте также: Генпрокуратура проверит деятельность "Роснано"

Причиной отказа послужили санкции, в соответствии с которыми оборудование относиться к технологиям двойного назначения и попадают под запрет.

Глава «Роснано» отметил, что уже найден другой поставщик в Китайской народной республике. «Это пример, когда мы сумели быстро найти решение и пуск завода не был сорван», - отметил он.

Стоит отметить, что микросхемы MRAM обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания.

Читайте также: На Чубайса хотят повесить уголовное дело

Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость считывания и записи информации и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.



Фото: news.rambler.ru


Источник изображения: