215342_image_30_08_16_10_26.jpeg

Научные деятели из Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН смогли создать супер-флешку, которая существенно превосходит аналогичные устройства, сообщает ИА «Дейта».

Ученые опробовали применение мультиграфена (вещества из нескольких слоев графена) в устройствах флеш-памяти. Данное вещество имеет важную особенность: большую работу выхода для электронов, что позволяет резко увеличить потенциальный барьер на границе мультиграфена и оксида кремния.

Мультиграфен, находящийся между оксидами, становится глубоким хранилищем, куда электрический заряд скидывается и потом хранится гораздо дольше, чем в обычных накопителях. В данный момент российские ученые продолжают работать над созданием опытных образцов супер-флешки.

Фото: ИА «Дейта»